Современные ускорители – это неотъемлемая часть оборудования большинства мировых фабрик по производству микроэлектроники и чипов, а также передовых исследовательских лабораторий, которые работают в области микро- и наноэлектроники.
Наши преимущества:
- Рабочий коллектив из 25 технических специалистов Московского университета, имеющих опыт эксплуатации подобного оборудования
- Штат конструкторов и научных сотрудников, имеющих опыт разработки ускорителей ионов, имплантеров и научного оборудования, в частности, космического базирования
- Разработаны отдельные узлы и блоки установки (ускорительные трубки, высоковольтные модули, различные типы ионных источников, сепарирующий магнит)
- Имеются опытные образцы установок и комплект конструкторской документации на установки ионной имплантации
- Опыт расчета электронно-ионной оптики с использованием специализированного программного обеспечения
- Десятилетний опыт автоматизации высоковольтного терминала установок ионной имплантации, системы фокусировки и транспортировки ионного пучка. Опыт разработки систем для сбора, хранения и обработки информации в автоматическом режиме
- Опыт разработки систем детекторов заряженных частиц. Различные типы детекторных систем используются в качестве полезной нагрузки для изучения радиационных условий в околоземном космическом пространстве на космических аппаратах «Арктика», «Электро», «Метеор»
- Опыт настройки, эксплуатации и обслуживания ускорительной техники
- Опыт изготовления необходимых деталей оборудования на базе научно-технического центра приборостроения НИИЯФ МГУ (Участок сборки электронных компонентов, Механический цех и участок 3D прототипирования). Программное обеспечение (современные CAD-средства, CREO PRO Engener, CAM-систем, проектирования печатных узлов – Altium Designer , Mentor Graphics PCB Expedition), ИТ инфарструктура)
- Опыт сотрудничества с ведущими производственными площадками России
Примеры реализации имплантеров/низкоэнергитичных атомарных ионных ускорителей:
| Спецификация 1 | Возможные исполнения: | |
| Энергия | 0.1-10 keV | До 300 keV |
| Энергетический разброс | 0.1 % | До 0.1 V |
| Ток пучка | 35 μА при 10 keV, Ar | Диапазон 1 фА-10 мА |
| Однородность облучения | ≤1,5 % | ≤0.1 % |
| Градус | 0 | По выбору |
| Область облучения при сканировании | 1.5 дюйма | По выбору |
| Минимальная фокусировка пучка | Система фокусировки позволяет получать в точку 0.5 мм.Использование капилярных систем, позволяет сфокусировать пучок до 20 μм | По выбору |
| Количество образцов за загрузку | 6 штук | По выбору |
| Тип источника | Источник разрядного типа Дуоплазматрон, Пеннинга | Твердотельные и ленточные и другие |
| Массы | До 132 а.е.м. | До 250 а.е.м. |
| Рабочий вакуум | 6,6×10-6 Па | По выбору |
Помимо, стандартных задач по ионной имплантации пучки ускоренных атомарных ионов находят применение для решения следующий прикладных задач:
- Радиационно-индуцированные дефекты в твердых телах.
- Имитация продуктов деления в поверхностных слоях твердотельных защитных матриц (альфа – до 1 МэВ, тяжелые ионы 200 кэВ и протоны)
- Анализ состава поверхностных слоев и кристаллической структуры твердотельных материалов с высоким разрешением по глубине (вплоть до монослоя).
- Микро – и наноинженерия с помощью ионных пучков низкоразмерных систем (диоксид титана, графен, УНТ, пористый кремний и алюминий)
- Оптоэлектронные, биомедицинские и сенсорные приложения.
- Цифровые технологии (кубиты, одноэлектронные структуры на основе одиночных примесных атомов)
Примеры реализации ускорителей кластерных ионов:
| Спецификация | Возможные исполнения | |
| Энергия | 7-20 keV | До 60 keV |
| Режим работы | импульсный | Непрерывный/импульсный |
| Энергетический разброс | 1 % | По выбору |
| Размер кластеров | Возможность контролировать размеры кластеров. от 300 атомов до 7000 в зависимости от настройки источника | По выбору |
| Рабочий газ для формирования кластерных ионов | аргон, ксенон, криптон | По выбору |
| Сепарация | ±150 атомов от заданного значения | По выбору |
| Градус | 0 | По выбору |
| Размер пучка | 7 мм | По выбору |
| Область облучения при сканировании | 6 дюймов | По выбору |
| Рабочий вакуум | 1×10-7 Па | По выбору |
Пучки ускоренных газовых кластерных ионов GCIB (Gas Cluster Ion Beam) находят применение для решения следующих прикладных задач:
- Сглаживание шероховатости поверхности для задач микро- и нано-электроники
- Формирование нанорельефа поверхности с заданными параметрами для задач оптики и биомедицины
- Как один из инструментов для анализа элементного состава полимерных материалов в методике ВИМС
- Как средство для эффективной очистки поверхности без формирования глубокого нарушенного слоя.
